[发明专利]具有反向隔离槽的毫米波肖特基二极管有效
| 申请号： | 202110623108.6 | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113345953B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 李晋 | 申请（专利权）人： | 厦门芯辰微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 河北冀华知识产权代理有限公司 13151 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 361012 福建省厦门市中国(福建)自由贸易试*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有反向隔离槽的毫米波肖特基二极管，涉及电子元器件技术领域。所述二极管包括半绝缘衬底层，所述半绝缘衬底层上表面的中部形成有钝化层，钝化层的左右两侧分别形成有重掺杂GaAs层，左右两侧的所述重掺杂GaAs层上内嵌有欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层的上表面高于所述重掺杂GaAs层的上表面，不具有欧姆接触金属层的重掺杂GaAs层的上表面形成有低掺杂GaAs层，左侧的所述重掺杂GaAs层以及低掺杂GaAs层与对应的右侧的重掺杂GaAs层以及低掺杂GaAs层之间的距离从下到上逐渐减小，使得在二极管的中间形成正八字型的隔离槽结构。所述二极管可有效的降低二极管在高频工作时候的电容寄生效应。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反向 隔离 毫米波 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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