[发明专利]一种新型碳化硅超薄n型欧姆接触层n-i-p型极深紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种新型碳化硅超薄n型欧姆接触层n‑i‑p型极深紫外探测器及其制备方法，该探测器包括从下到上依次相接的衬底、p型SiC高掺外延层、p型SiC低掺外延层、n型SiC超薄高掺外延层和n型欧姆接触电极，p型SiC高掺外延层上设有p型欧姆接触电极，n型欧姆接触电极和p型欧姆接触电极上均设有金属导电电极，n型SiC超薄高掺外延层的厚度不大于30nm。本发明有效规避了传统p‑i‑n结构常规紫外探测器在应用于EUV波段探测时所发生的EUV光子在表面高掺杂p型层中的强吸收，有效提升了EUV波段探测器的量子效率；同时有效规避了肖特基结EUV探测器在应用于高能光子辐照以及高温环境中时存在于辐照稳定性以及温度稳定性方面的风险。