[发明专利]一种铜基薄膜太阳电池吸收层成分调控的方法及制备得到的太阳电池在审
申请号: | 202110623729.4 | 申请日: | 2021-06-04 |
公开(公告)号: | CN113380924A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 张毅;郭洪玲;孟汝涛;王作允;刘玮;敖建平 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/02;H01L31/032;H01L31/072 |
代理公司: | 天津耀达律师事务所 12223 | 代理人: | 张耀 |
地址: | 300350 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明提供一种铜基薄膜太阳电池吸收层成分调控的方法及制备得到的太阳电池。该薄膜太阳电池吸收层成分的调控方法,包括:在背电极上制备铜锌锡硫前驱体薄膜;对前驱体薄膜进行高温退火,退火过程中通过压力调节控制反应动力学过程,实现吸收层组分调控。本发明中通过反应的动力学控制,减少了Sn元素的流失,精确地调控了吸收层中的Sn含量,为高效铜基薄膜太阳电池的制备提供了一个可控的化学计量吸收层成分的调控方法。由此,增加了开路电压,优化了载流子的传输和收集效率,显著提升了薄膜太阳电池的光电转换效率。本发明压强控制工艺简单,有效地解决了目前吸收层面临的严重Sn流失问题,为薄膜太阳电池的产业化提供了一条路径。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳电池 吸收 成分 调控 方法 制备 得到 | ||
【主权项】:
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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