[发明专利]提高亮度的发光二极管芯片制作方法有效
| 申请号： | 202110624920.0 | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113328015B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 徐平 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 张勇;唐玲 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本申请公开了一种提高亮度的发光二极管芯片制作方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括进行生长MQWs1、生长MQWs2、生长MQWs3的步骤，所述生长MQWs1包括依次生长InGaN‑1阱层和InGaN‑2阱层的步骤，所述生长MQWs2包括生长P型AlGaN/GaN高势垒结构层，所述生长MQWs3包括溅射SiO |
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| 搜索关键词： | 提高 亮度 发光二极管 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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