[发明专利]高密度三维多层存储器及制备方法

摘要

高密度三维多层存储器及制备方法，涉及存储器的制备技术。本发明的存储器包括底层电路部分以及设置于底层电路部分上方的基础结构体，所述基础结构体由曲线状分割槽分为彼此独立的两个指叉结构，曲线状分割槽内并列设置有至少3个存储单元孔，每个存储单元孔内设置有一个垂直电极，所述存储介质为绝缘介质；在存储单元孔的内壁、第一导电介质层区域，设置有缓冲区，所述缓冲区自存储单元孔的内壁向存储单元孔的轴线凸出，缓冲区与存储介质相接。本发明的存储器存储密度高，层间电阻低，有利于存储器更为稳定的工作。