[发明专利]一种撞击流耦合流化床制备高质量氮化硅粉体的方法在审
| 申请号： | 202110625470.7 | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN115432675A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 向茂乔;朱庆山;耿玉琦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;B01J19/18 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 张红生;武玥 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种撞击流耦合流化床制备高质量氮化硅粉体的方法，所述方法包括撞击流反应工序(1)、前驱体收集工序(2)、脱卤工序(3)、深度脱卤工序(4)、分解工序(5)、晶化工序(6)、冷却工序(7)和副产物收集工序(8)，可制备杂质含量低、α相含量高、粒径细且分布窄的高质量氮化硅粉体。本发明解决了传统硅胺前驱体转化法中气相合成路线难以获得低氯含量氮化硅粉体的难题，同时与传统溶剂热液相合成法和硅胺前驱体液相合成法相比，本发明可解决前驱体吸湿防护难的问题，并且能够实现连续批量化制备高质量氮化硅粉体，生产效率高，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 撞击 耦合 流化床 制备 质量 氮化 硅粉体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院过程工程研究所，未经中国科学院过程工程研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110625470.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
