[发明专利]一种多级流化床制备高质量氮化硅粉体的系统及方法在审
| 申请号： | 202110625483.4 | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN115432676A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 朱庆山;向茂乔;耿玉琦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 张红生;武玥 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多级流化床制备高质量氮化硅粉体的系统及方法。气相硅源在流化床中与氨气反应后，依次经过脱氯、深度脱氯、分解、晶化等步骤可制备杂质含量低、α相含量高、粒径细且分布窄的高质量氮化硅粉体。本发明解决了传统硅胺前驱体转化法中气相合成路线难以获得低氯含量氮化硅粉体的难题，同时与传统溶剂热液相合成法和硅胺前驱体液相合成法相比，本发明可解决前驱体吸湿防护难的问题，同时能够实现连续批量化制备高质量氮化硅粉体，生产效率更高，大幅度降低了高质量氮化硅粉体的成本，扩展粉体的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多级 流化床 制备 质量 氮化 硅粉体 系统 方法 | ||
【主权项】：
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