[发明专利]一种Ga-GaSb硅基近红外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种Ga‑GaSb硅基近红外光电探测器及其制备方法。本发明提供的Ga‑GaSb硅基近红外光电探测器包括：硅片；复合于所述硅片一面的Ga‑GaSb纳米材料层；复合于所述Ga‑GaSb纳米材料层表面的顶电极；复合于所述硅片另一面的底电极。本发明以硅片为主体，使用透明的单层石墨烯作为顶电极，在单层石墨烯顶电极与硅片之间设置Ga‑GaSb纳米材料层，Ga‑GaSb与硅形成范德华异质结，以此构建垂直结构的光电探测器，单层石墨烯可以更有效的收集空穴和电子，增强器件导电性能，Ga‑GaSb与硅构建的异质结提升了硅的探测性能和探测光谱宽度，提高了器件的响应速度。