[发明专利]一种基于蓝宝石衬底的石墨烯薄膜切割方法在审
| 申请号： | 202110629373.5 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113363148A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈雨微;卞立安;刘培国;查淞;黄贤俊;刘晨曦;林铭团 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 陈俊好 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种基于蓝宝石衬底的石墨烯薄膜切割方法，该方法在切割之前，先使用PMMA对石墨烯晶圆进行预处理，再对石墨烯晶圆使用EBL完成对石墨烯晶圆的赋型并暴露切割轨迹，然后去除PMMA涂层和切割轨迹上的石墨烯，最后按切割轨迹对石墨烯晶圆进行切割。本发明提供的方法对石墨烯晶圆进行EBL刻蚀，破坏了PMMA和石墨烯在被切割部位的粘着性，使得在切割过程中目标区域的石墨烯可保持其完整的性能，该方法可以实现对基于蓝宝石衬体的单层石墨烯高效低损的切割，可应用于大规模石墨烯器件制备过程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 蓝宝石 衬底 石墨 薄膜 切割 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科技大学，未经中国人民解放军国防科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110629373.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种水质预警方法及系统
- 下一篇：一种企业级电力用户智能分类方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
