[发明专利]基于单片机的磁通门激励信号产生方法及磁通门激励电路有效
| 申请号： | 202110629661.0 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113359202B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 胡星星;滕云田;李彩华;汤一翔;范晓勇;胡刚;何朝博;沈晓宇 | 申请（专利权）人： | 中国地震局地球物理研究所 |
| 主分类号： | G01V3/40 | 分类号： | G01V3/40;G01V3/38;G05B19/042 |
| 代理公司： | 成都天既明专利代理事务所(特殊普通合伙) 51259 | 代理人： | 彭立琼 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于单片机的磁通门激励信号产生方法及磁通门励磁电路，其利用包含有定时/计数器T0和定时/计数器T1的单片机产生，单片机分别与磁通门磁力仪的相敏检波电路和激励信号功率驱动电路连接；定时/计数器T0工作在自动装载的工作模式0，其计数周期输出作为输入相敏检波电路的参考信号；定时/计数器T1工作在非自动装载的工作模式1，其计数周期输出作为磁通门激励信号。本发明利用单片机的两个定时/计数器产生激励信号和相敏检波器输入参考信号，并能实现对激励信号和参考信号的高精度相位调节，有助于提升磁通门的信号检测精度；且由于不包含模拟电路，不会产生温漂，有助于提升磁通门磁力仪的工作稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 单片机 磁通门 激励 信号 产生 方法 电路 | ||
【主权项】：
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