[发明专利]低浓度位错铸锭单晶缓冲式籽晶熔化控制方法在审
| 申请号： | 202110632346.3 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113403674A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 韩科选;薛赓 | 申请（专利权）人： | 苏州步科斯新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B11/00 |
| 代理公司： | 苏州汇智联科知识产权代理有限公司 32535 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了低浓度位错铸锭单晶缓冲式籽晶熔化控制方法，包括以下步骤：(1)在石英坩埚底部铺设籽晶；(2)使用第一热电偶和第二热电偶获取石英坩埚底部边角部位的温度信号，温度信号为坩埚底部边角部位的温度和温度变化率的数值；(3)根据获取到的所述温度信号，判断所述籽晶熔化的高度；当所述温度信号出现突然上升的突变点时，表示籽晶熔化至设定高度，此时控制热场和工艺，进入长晶阶段；本发明将热电偶安装在坩埚底部边角部位，避开了侧部加热器对温度信号的影响，监测结果更准确。 | ||
| 搜索关键词： | 浓度 铸锭 缓冲 籽晶 熔化 控制 方法 | ||
【主权项】：
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