[发明专利]一种Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法有效
申请号: | 202110632887.6 | 申请日: | 2021-06-07 |
公开(公告)号: | CN113533922B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 黄火林;赵程 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人: | 马庆朝 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: |
一种Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法,属于半导体器件测试领域。技术方案:搭建温度曲线标定平台,通过外部供热的方法,标定器件温度曲线,测定未知结温下的温敏参数,计算器件结温Tj。有益效果:本发明所述的Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法通过在Cascode结构GaN电力电子器件关态条件下,在器件源漏两端施加两次大小不同的偏置电流,测量偏置电压值,进而得到温敏电参数,该参数仅与两次不同的测试电流和测得的偏置电压有关,排除了测试回路中与SiMOSFET体二极管串联的GaNHEMT导通电阻R |
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搜索关键词: | 一种 cascode 结构 gan 电力 电子器件 快速 精确 测量方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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