[发明专利]一种Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法有效

专利信息
申请号: 202110632887.6 申请日: 2021-06-07
公开(公告)号: CN113533922B 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 黄火林;赵程 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 代理人: 马庆朝
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法,属于半导体器件测试领域。技术方案:搭建温度曲线标定平台,通过外部供热的方法,标定器件温度曲线,测定未知结温下的温敏参数,计算器件结温Tj。有益效果:本发明所述的Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法通过在Cascode结构GaN电力电子器件关态条件下,在器件源漏两端施加两次大小不同的偏置电流,测量偏置电压值,进而得到温敏电参数,该参数仅与两次不同的测试电流和测得的偏置电压有关,排除了测试回路中与SiMOSFET体二极管串联的GaNHEMT导通电阻RGaN对于温敏关系线性度的影响;由温敏电参数与温度的完全线性对应关系可以精确的表征器件结温。
搜索关键词: 一种 cascode 结构 gan 电力 电子器件 快速 精确 测量方法
【主权项】:
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