[发明专利]一种MOF衍生多孔金属磷化物纳米片阵列及应用有效

专利信息
申请号: 202110634176.2 申请日: 2021-06-07
公开(公告)号: CN113299492B 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 金玉红;李乐园;张倩倩;刘晶冰;汪浩 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01G11/86 分类号: H01G11/86;H01G11/32;H01G11/30;H01G11/26;H01G11/24;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 张立改
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种MOF衍生多孔金属磷化物纳米片阵列及应用,属于属于MOF衍生物超级电容器材料技术领域。利用六水合氯化镍(NiCl2·6H2O),对苯二甲酸(PTA)和泡沫铜在相对温和条件下经过还原磷化后制备出具有优异超级电容器性能的电极材料‑泡沫基底上原位生长碳包覆Ni2P的多孔纳米阵列(Ni2P/C@基底)。该材料具有良好的氧化还原可逆性能。
搜索关键词: 一种 mof 衍生 多孔 金属 磷化 纳米 阵列 应用
【主权项】:
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