[发明专利]一种脱除三甲基氯硅烷中甲基二氯硅烷、四氯化硅杂质的方法有效
| 申请号： | 202110635806.8 | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113292592B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 许春建;曹咏军;曾宪友;杨成勇;何永超 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C07F7/12 | 分类号： | C07F7/12;C07F7/20;C07F7/04;C07F7/18;C07F7/14;C07F7/02 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明一种脱除三甲基氯硅烷中甲基二氯硅烷、四氯化硅杂质的方法，包含硅氢加成反应、部分酯化反应和完全酯化反应三部分；首先含甲基二氯硅烷、四氯化硅杂质的三甲基氯硅烷的混合物与硅氢加成反应物加入反应器进行硅氢加成反应，反应后的产物进入分离系统，采用蒸馏或精馏方式，将过剩的反应物、硅氢加成产物进行分离，剩余三甲基氯硅烷和四氯化硅混合物；而后加入低碳醇作为酯化剂将混合物中的四氯化硅进行部分酯化反应，反应后的产物进入分离系统，采用精馏方式，分离出四氯化硅部分酯化产物，从而得到纯化的三甲基氯硅烷；最后再将部分酯化产物进一步完全酯化为有价值的四烷氧基硅产品。实现了三甲基氯硅烷的高效率回收，也实现高值化利用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 脱除 甲基 硅烷 氯化 杂质 方法 | ||
【主权项】：
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