[发明专利]一种HEMT器件的栅极、HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110636281.X | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113380884A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 李敏;刘胜北 | 申请（专利权）人： | 上海新微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种HEMT器件的栅极、HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件的栅极包括：栅脚，所述栅脚位于HEMT器件的源极与漏极之间，所述栅脚至少是两排；栅帽，所述栅帽位于所述栅脚上方，并与所述栅脚连接。本发明提供的栅极包括至少两排栅脚，增加了栅极下方沟道内的电子散射路径，降低了电子能量，减少了热电子数量，抑制了热载流子效应，提高了HEMT器件的线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hemt 器件 栅极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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