[发明专利]单晶硅异质结太阳能电池和太阳能电池的制作方法

摘要

本发明提供了一种单晶硅异质结太阳能电池和太阳能电池的制作方法。单晶硅异质结太阳能电池包括：由内至外依次设置的基材、透明导电氧化物层和种子层，种子层作为栅线电极图案；导电层，设于种子层上，作为与电极图案对应的电极；其中，种子层的扩散能力低于导电层的扩散能力，用于阻止其上的导电层扩散至透明导电氧化物层。种子层中所包含的金属的扩散能力需低于导电层中金属的扩散能力，从而通过扩散能力相对较差的种子层增加导电层中金属向透明导电氧化物层扩散的难度。通过设置该种子层使导电层可以选取性能优良且成本较低的金属。进而实现优化太阳能电池结构，降低太阳能电池的生产成本，提升太阳能电池产品竞争力的技术效果。