[发明专利]一种III族氮化物晶体管的制备方法及晶体管在审
| 申请号： | 202110637757.1 | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113437145A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 姜全忠 | 申请（专利权）人： | 苏州奥谱毫通电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 | 代理人： | 刘凤钦;林辉 |
| 地址： | 215200 江苏省苏州市吴江区东太湖生态旅游度*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种III族氮化物晶体管的制备方法，包括如下步骤：1)提供生长衬底；2)在所述生长衬底上，形成包括III族氮化物的多层膜结构：所述多层膜结构包括生长在所述生长衬底上的牺牲层、生长在所述牺牲层上的器件层和生长在所述器件层上的载体层，所述器件层包括电子通道；3)除去所述生长衬底；4)蚀刻所述牺牲层，暴露器件层的表面；5)形成晶体管，在器件层远离载体层的暴露的表面形成源极、栅极和漏极。还公开了一种栅极的形成方法，以及一种III族氮化物晶体管。与现有技术相比，本发明的优点在于：晶体管的源极、栅极和漏极形成在器件层远离载体层的一侧，晶体管的散热设计取决于载体层，载体层可以使用高热导率的氮化物，增加器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iii 氮化物 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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