[发明专利]一种银纳米线与金属氧化物复合制备透明导电薄膜的方法有效
| 申请号： | 202110637987.8 | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113257481B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 李海东;程凤梅;李沛;李晶;吴吉娜;杨小霞 | 申请（专利权）人： | 嘉兴学院;国网吉林省电力有限公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14;H01B1/22;H01B5/02 |
| 代理公司： | 上海统摄知识产权代理事务所(普通合伙) 31303 | 代理人： | 杜亚 |
| 地址： | 314001 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种银纳米线与金属氧化物复合制备透明导电薄膜的方法，先将银纳米线‑乙醇分散溶液在玻璃基底上进行成膜得到银纳米线薄膜，再在银纳米线薄膜上旋涂金属氧化物前体溶液，然后退火，制备得到银纳米线与金属氧化物复合的透明导电薄膜；银纳米线是将硝酸银‑乙二醇溶液加入至混合溶液中，加热反应后冷却至室温，收集沉淀物得到；混合溶液是将聚乙烯吡咯烷酮‑乙二醇溶液和有机胺盐酸盐‑乙二醇溶液混合得到；银纳米线直径尺寸主要在100～150nm，长度大于80μm；银纳米线与金属氧化物复合的透明导电薄膜的方块电阻为3～17ohm/sq，透过率大于80％。本发明的方法，利用银纳米线与金属氧化物复合制备得到的透明导电薄膜，导电性好、透过率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 金属 氧化物 复合 制备 透明 导电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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