[发明专利]一种基于原位的晶体高通量培养及快速上样的装置及方法有效
| 申请号： | 202110638377.X | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113376191B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 梁淼;周欢;王志军;汪启胜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 主分类号： | G01N23/20008 | 分类号： | G01N23/20008;G01N23/20025 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 余永莉 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于原位的晶体高通量培养及快速上样的装置及方法，包括：若干原位上样板，其上具有镂空的点样孔；用于提供镀膜场所的镀膜板，其上具有若干第一镀膜槽和若干第二镀膜槽，每个第一镀膜槽具有与原位上样板相当的尺寸，每个第二镀膜槽具有原位上样板的数倍长度以及相等宽度，用于同时容纳多个原位上样板；用于晶体培养的原位结晶板，其上包括若干池液孔，还包括前后贯穿的若干侧孔，所述侧孔位于池液孔的上方；以及适配于原位结晶板上的侧孔的通板。根据本发明，利用与原位结晶板适配的原位上样板，与原位上样板适配便于镀膜和切割的镀膜板，以及与原位结晶板适配的通板，实现了在原位前提下晶体的优化、高通量培养以及快速上样。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 原位 晶体 通量 培养 快速 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海应用物理研究所，未经中国科学院上海应用物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110638377.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
