[发明专利]一种基于GaN微米线阵列光探测器芯片叉指电极、光探测器芯片及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于GaN微米线阵列光探测器芯片叉指电极及其制备方法，该叉指电极以特定的方向位于GaN微米线阵列表面，为肖特基接触的合金电极层，该合金电极层由依次层叠的金属肖特基接触层、金属加厚层、金属黏附层和金属抗氧化层组成；形状上，该叉指电极由高纵横比的双沟道三指头和一对方形pad图形组成，其中第一和第二指头分别连接至第一方形pad图形的两端侧，第三指头连接至第二方形pad图形的中部，第一方形pad图形和第二方形pad图形相对设置，第三指头设置于第一、第二指头之间。金属层的设置提升了其与GaN微米线之间的粘附力，器件的成品率高，且高的纵横比提升了器件响应度和响应速率，降低了暗电流。