[发明专利]一种复合氧化物半导体材料的制备方法在审
| 申请号： | 202110640305.9 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113231063A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 苏春彦;刘心彤 | 申请（专利权）人： | 长春工业大学 |
| 主分类号： | B01J23/745 | 分类号： | B01J23/745;B01J37/10;B01J37/34;C02F1/30;C02F101/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130000 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种复合氧化物半导体材料的制备方法。包括以下步骤：1）将一定量的二水合氯化铜和铁盐溶解于溶剂中，搅拌得到混合溶液；2）将一定量的十二烷基苯磺酸钠溶于溶剂中，搅拌溶解后缓慢滴加到步骤1）的混合溶液中；3）将一定量的氢氧化钠溶解于溶剂中，将其缓慢滴到步骤2）的混合溶液中，得到前驱体溶液，然后置于密封不锈钢高压釜中，将反应釜放入恒温烘箱中高温反应一定时间；4）借用外加磁场取出反应釜中产物洗涤、干燥，获得复合半导体材料。本发明的特点：采用一步溶剂热法，方法简单、成本低；复合材料有效避免了半导体光生电子与空穴的复合，提高了光催化降解效率；作为磁性材料，易于回收、重复利用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 氧化物 半导体材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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