[发明专利]一种低密度双相硅化物增强难熔高熵合金及其制备方法有效
| 申请号： | 202110640385.8 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113584368B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 程兴旺;徐子祁;谈燕;马兆龙 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C22C32/00;C22C1/10 |
| 代理公司： | 北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙) 11639 | 代理人： | 邬晓楠 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种低密度双相硅化物增强难熔高熵合金及其制备方法，特别涉及一种MoNbTiSi系难熔高熵合金材料及其制备方法，属于高熵合金领域。为了获得具有较低的密度和高强度，该新型合金引用了共晶合金的概念，设计出了两相结构的难熔组织。该合金由Mo、Nb、Ti及Si元素组成，具有硅化物相及BCC相。该新型合金具有高的强度和较好的塑性变形能力，同时其密度在5.5～6.5g/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 密度 双相硅化物 增强 难熔高熵 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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