[发明专利]具有多层级单元配置的非易失性存储器元件在审
| 申请号： | 202110640589.1 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113782671A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | D·J·J·洛;卓荣发;陈学深 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有多层级单元配置的非易失性存储器元件，提供包括非易失性存储器元件的结构，以及制造包括非易失性存储器元件的结构的方法。第一非易失性存储器元件包括第一电极、第二电极、以及第一电极与第二电极之间的切换层。第二非易失性存储器元件包括第一电极、第二电极、以及第一电极与第二电极之间的切换层。第一位线耦合至第一非易失性存储器元件的第一电极，以及耦合至第二非易失性存储器元件的第一电极。第二位线耦合至第一非易失性存储器元件的第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多层 单元 配置 非易失性存储器 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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