[发明专利]纳米硅化物增强难熔高熵合金及其制备方法有效
| 申请号： | 202110640600.4 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113373365B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 程兴旺;徐子祁;谈燕;马兆龙 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C21D8/02;C22F1/00 |
| 代理公司： | 北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙) 11639 | 代理人： | 邬晓楠 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米硅化物增强难熔高熵合金材料及其制备方法，属于高熵合金领域。该新型合金由V、Nb、Ti、Ta、Si等元素构成，铸态条件下该合金为单相BCC结构，通过冷变形及后续的热处理方法对该合金进行处理，获得具有大量弥散分布的纳米级M5Si3型析出相。该合金兼具高的拉伸屈服强度和断裂延伸率，具有优异的力学性能。其屈服强度可以达到1.1GPa以上，并且断裂延伸率在20％以上。同时在高温下，该合金具有良好的力学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 硅化物 增强 难熔高熵 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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