[发明专利]Core MOS器件及工艺方法在审
| 申请号： | 202110640999.6 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113506739A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;房子荃 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种Core MOS器件，在一半导体衬底中包含有多个隔离结构，由所述的多个隔离结构隔离出不同隔离区域形成所述Core MOS器件的组成结构；所述的Core MOS器件具有第一导电类型的阱内，所述的多个隔离结构位于阱内的衬底表层；在第一隔离区域中，包含有所述Core MOS器件的具有第二导电类型的源区及漏区，所述源区及漏区均位于具有第二导电类型的LDD区内，且源区及漏区在衬底中的深度大于LDD区；在第二隔离区内，具有第二导电类型的LDD区及第一导电类型的掺杂区；所述的LDD区与掺杂区位置重叠，掺杂区的深度大于LDD区。本发明还公开了所述Core MOS器件的工艺方法，节省两张掩膜版，降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | core mos 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
