[发明专利]一种改善POFV工艺阻抗均匀性的方法在审
| 申请号： | 202110641139.4 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113365431A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 刘文敏;李艳国;李飞;陈钟俊 | 申请（专利权）人： | 泰和电路科技（惠州）有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/18 | 分类号： | H05K3/18;H05K3/02;H05K3/42 |
| 代理公司： | 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260 | 代理人： | 张德兴 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善POFV工艺阻抗均匀性的方法，该方法包括如下步骤：前流程→一次钻孔→沉铜→一铜→镀孔干膜→镀孔→退膜→树脂塞孔→一次陶瓷磨板→减薄铜→二次陶瓷磨板→二次钻孔→沉铜→二次VCP→电镀后磨板→干膜→蚀刻→后工序。本发明的有益效果：改善POFV工艺因铜厚不均造成蚀刻不净、阻抗控制精度问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 pofv 工艺 阻抗 均匀 方法 | ||
【主权项】：
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