[发明专利]存储器的光刻曝光方法有效
| 申请号： | 202110641291.2 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113504706B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器的光刻曝光方法，在存储器制作的光刻工艺中，采用掩膜版曝光时，将存储器上的具有不同曝光尺寸要求的区域进行分拆，划分为不同的曝光分组，具有相同曝光解析力要求的区域划为一组，在曝光时对不同分组进行不同模式的能够相应满足该组解析力要求的曝光模式的曝光，在曝光时，采用不同的照明方式进行曝光：首先采用第一种曝光方式对存储阵列单元曝光分组进行曝光，然后保持晶圆在承台上不动，再采用第二种曝光方式对其他结构曝光分组进行曝光；全部曝光完成后，进行一次显影完成图形转移。本发明有针对性地为每组选择更佳的曝光方式，改善了图形转移的质量，并且可以在光刻能力有限的情况下。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 光刻 曝光 方法 | ||
【主权项】：
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