[发明专利]一种基于碳点和AgInZnS纳米颗粒的高显色指数WLED制备方法及其产品在审
申请号: | 202110642004.X | 申请日: | 2021-06-09 |
公开(公告)号: | CN113380939A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 邱景;黄焱燚;唐孝生;林豪 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 赵荣之 |
地址: | 400044 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于碳点和AgInZnS纳米颗粒的高显色指数WLED制备方法及其产品,属于半导体发光材料技术领域。本发明提供了一种基于碳点和AgInZnS纳米颗粒的高显色指数WLED的制备方法,主要将蓝色发光碳点、绿色发光碳点和红色发光AgInZnS纳米颗粒涂覆到在UV‑LED芯片上制备高显色指数WLED,该方法所选用的荧光材料无毒性,制备过程中不使用毒性有机溶剂,对人体及环境均无危害;同时在制备过程中不需惰性气体保护,操作简单,制备成本低廉,适合工业化生产。通过本发明的制备方法制备得到的基于碳点和AgInZnS纳米颗粒的高显色指数WLED具有色温可调、显色指数高且显色稳定性好的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 aginzns 纳米 颗粒 显色 指数 wled 制备 方法 及其 产品 | ||
【主权项】:
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