[发明专利]一种利于提升Q点充电率的GOA电路在审
| 申请号： | 202110642742.4 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113506544A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;薛炎;王隆杰;陈芷若;郑钰芝;林可欣;林紫烨;马驰华;梁照辉;叶桦 | 申请（专利权）人： | 深圳职业技术学院 |
| 主分类号： | G09G3/3266 | 分类号： | G09G3/3266;G09G3/3225 |
| 代理公司： | 深圳市神州联合知识产权代理事务所(普通合伙) 44324 | 代理人： | 王志强 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利于提升Q点充电率的GOA电路，属于AMOLED电路制造技术领域。包括有外部侦测单元，所述外部侦测单元包括有TFT T7，所述TFT T7的栅极连接有行扫描信号RD，所述外部侦测单元还包括有sense线路，所述sense线路与TFT T7的源极相连，所述sense线路上设置有开关Spre、开关Sam，所述开关Spre上连接有外部信号Vref，所述开关Sam上连接有外部信号ADC。与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明提出一种利于提升Q点充电率的GOA电路，增加了用于侦测的T7晶体管，能够在关机阶段侦测Q点的电位，通过侦测Q点的电位，能够得到上拉控制单元中TFT的阈值电压变化，能够补偿上拉控制电路中TFT的阈值电压正偏对Q点充电率的影响，提升电路输出的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利于 提升 充电 goa 电路 | ||
【主权项】：
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