[发明专利]碳化硅功率半导体器件和场效应晶体管

摘要

本申请涉及一种碳化硅功率半导体器件和场效应晶体管。包括衬底、多个间隔设置的栅极沟槽。多个间隔设置的栅极沟槽形成于衬底的一侧。每个栅极沟槽内设置第一栅极和第二栅极。第一栅极和第二栅极沿衬底延伸的方向排布。第一栅极为第一导电类型。第二栅极为第二导电类型。每个栅极沟槽的内壁形成栅极氧化层。栅极氧化层位于栅极沟槽的内壁和第一栅极和第二栅极之间。第一栅极和第二栅极形成PN结后，第二栅极会被第一栅极完全耗尽，形成空间电荷区。空间电荷区可以承受电压，相当于增加了栅极氧化层的厚度。栅极氧化层的厚度增加所以减少了栅极和屏蔽区之间的电容，进而减少了栅电荷，从而能够提高开关速率，降低开关损耗。