[发明专利]一种磷化铟晶圆的切割方法及控制系统有效
| 申请号： | 202110645549.6 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113380702B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 张韶轩;郭靖;张毓盛;李坤 | 申请（专利权）人： | 东莞安晟半导体技术有限公司;东莞铭普光磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/67;B28D5/02;B28D5/00;B28D7/00;B28D7/04;B28D7/02 |
| 代理公司： | 深圳国海智峰知识产权代理事务所(普通合伙) 44489 | 代理人： | 王庆海;刘军锋 |
| 地址： | 523000 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶圆处理技术领域，具体涉及一种磷化铟晶圆的切割方法及控制系统，切割方法包括：首先将晶圆放置在箍环绷紧的蓝膜上，然后根据晶圆的切割道宽度选取对应的切割刀片，根据晶圆的切割道宽度、晶圆的厚度以及芯片大小设定对应的切割参数，切割刀片按照切割参数对装配好的晶圆进行自动机械切割，最后对切割好的晶圆进行去离子水清洗后风淋甩干。切割控制系统包括：晶圆装配器、晶圆切割控制器和晶圆清洗处理器。本发明通过装配晶圆、切割晶圆和清洗、风淋甩干晶圆实现了对磷化铟晶圆的一次性自动机械切割，有效提高了切割效率；通过切割控制系统实现了整个晶圆切割工艺的自动化加工，提高了晶圆切割的加工精度和芯片的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 铟晶圆 切割 方法 控制系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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