[发明专利]一种基于Ga2有效

专利信息
申请号: 202110645745.3 申请日: 2021-06-09
公开(公告)号: CN113555448B 公开(公告)日: 2023-06-09
发明(设计)人: 李京波;王小周;赵艳;齐红基 申请(专利权)人: 浙江芯科半导体有限公司
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 李园园
地址: 311400 浙江省杭州市富*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种基于Ga2O3终端结构的4H‑SiC肖特基二极管及制作方法,包括:SiC外延层;有源区,位于所述SiC外延层的表层中;终端区,位于所述SiC外延层中且位于所述有源区的两侧,其中,所述终端区包括若干间隔排列的Ga2O3终端结构,所述Ga2O3终端结构与所述SiC外延层之间均形成pn结。该肖特基二极管中终端区采用Ga2O3材料,Ga2O3具有较高的击穿场强,可以显著降低4H‑SiC肖特基二极管周边区域的电场集中现象,降低器件的漏电流,提升器件可靠性,保证器件在正常的静态特性下可以显著提升反向耐压能力。
搜索关键词: 一种 基于 ga base sub
【主权项】:
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