[发明专利]一种SiC基MIS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110645748.7 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113555441B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李京波;赵艳;汪争;郑涛;朱广虎;唐猛;李伟 | 申请（专利权）人： | 浙江芯科半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/24;H01L29/51;H01L21/34 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 311400 浙江省杭州市富*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiC基MIS器件及其制备方法，方法包括：在蓝宝石衬底上制备氧化镓纳米片；在n型重掺SiC层上生长n型轻掺SiC栅介质层；在所述n型重掺SiC层远离所述n型轻掺SiC栅介质层的一侧制备底栅电极；将所述蓝宝石衬底上的所述氧化镓纳米片转移到所述n型轻掺SiC栅介质层上；在所述氧化镓纳米片的两端分别制备源电极和漏电极；对所述源电极、所述漏电极、所述氧化镓纳米片、所述n型轻掺SiC栅介质层、所述n型重掺SiC层和所述底栅电极进行退火处理，以得到SiC基MIS器件。本发明制备的SiC基MIS器件具有良好的栅控能力，且散热性能提高，耐压能力增强，且本发明的制备方法成本低，制备的器件性能优异，对环境友好，可重复性生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mis 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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