[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110645872.3 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113257897B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 龚雪芹;张彦飞;郝乐;刘梦新 | 申请（专利权）人： | 北京中科新微特科技开发股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 娜拉 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳区北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，覆盖衬底；第二导电类型的阱区，形成于外延层的表面上，阱区内形成有包括第一导电类型的第一掺杂区的源区，阱区的表面上形成有第二导电类型的第二掺杂区，且第二掺杂区覆盖第一掺杂区；多个沟槽，穿过第二掺杂区、源区和阱区，并与外延层接触，沟槽的表面形成有栅介质层，沟槽内填充有由栅导电材料形成的栅极；第一电极层，填充沟槽并与第二掺杂区和第一掺杂区接触；隔离介质层，用于隔离第一电极层与栅极。本申请提供的半导体器件可以有效缩小平台宽度，进而提高沟道密度，减小导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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