[发明专利]碳化硅晶体的切割方法在审
| 申请号： | 202110646302.6 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113334592A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 牛晓龙;杨昆;路亚娟;刘新辉;董永洋;周浩 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;B28D5/04;C30B29/36;C30B33/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 许莉 |
| 地址： | 071051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开一种碳化硅晶体的切割方法，涉及碳化硅晶体技术领域，用于解决现有的碳化硅切割方法成本高、效率低且切割面粗糙的技术问题。本发明所述的碳化硅晶体的切割方法，包括以下步骤：根据具体的碳化硅晶体的晶体结构确定该晶体的解理方向或解理面；根据需要加工碳化硅晶体样品的尺寸和形状，确定需要切割的轨迹；采用特定的加工工艺，在确定的轨迹上制作出一定深度的凹槽；在已制作出的凹槽位置施加作用力，或对碳化硅晶体进行快速热处理，使碳化硅晶体沿凹槽完全开裂，得到具有光滑平整断面的小块碳化硅单晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体 切割 方法 | ||
【主权项】：
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