[发明专利]n型共掺杂金刚石半导体材料制备的多尺度耦合仿真方法有效
| 申请号： | 202110646664.5 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113096749B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 李辉;刘胜;申胜男;邹迪玮;沈威 | 申请（专利权）人： | 武汉大学深圳研究院 |
| 主分类号： | G16C60/00 | 分类号： | G16C60/00;G16C20/10;G16C20/30;G16C10/00;G16C20/90;G06F30/28;G06F30/23;G06F113/08;G06F119/08;G06F119/14 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 李炜 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了n型共掺杂金刚石半导体材料制备的多尺度耦合仿真方法，步骤如下：S1：收集相关信息，建模；S2：初步筛选掺杂的元素和核素；S3：构建金刚石超晶胞结构模型，筛选掺杂元素；S4：建立金刚石表面气体沉积模型，测试元素组合和对应的载体分子，优化参数；S5：结合S4的反应及环境参量，对于合成腔室的结构调整和模拟测试，确定宏观反应条件；S6：通过模拟仿真寻求特定产品更加合适的介观环境，并将其应用于S5模拟仿真测试中；S7：反复S4、S5、S6，获取最优条件。本发明通过多尺度多物理场耦合仿真，建立微观——介观——宏观仿真MPCVD方法制备n型共掺金刚石半导体的仿真模型，减少试错成本，快速获取最佳制备条件。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 金刚石 半导体材料 制备 尺度 耦合 仿真 方法 | ||
【主权项】：
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