[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110646851.3 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN114203817A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 入船裕行;河野洋志;水上诚;镰田周次 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、第一导电型的第三半导体层、第一导电型的第一有源区域、以及第三电极。所述第一半导体层设于所述第一电极与所述第二电极之间。所述第二半导体层设于所述第一半导体层之上。所述第一有源区域在第二方向上与所述第二半导体层邻接。所述第一有源区域具有所述第一上部与第二下部。所述第一下部在所述第二方向上的宽度的平均值比所述第一上部在所述第二方向上的宽度的平均值大。所述第三半导体层与所述第二电极电连接。所述第三电极隔着绝缘膜设于与所述第一有源区域之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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