[发明专利]利用永磁体提高磁电耦合器件的磁电耦合系数的方法在审
| 申请号： | 202110647524.X | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113380943A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 任豪;牛云平 | 申请（专利权）人： | 上海科技大学 |
| 主分类号： | H01L41/12 | 分类号： | H01L41/12;H01L41/18;H01L41/20;H01L41/06;H01L41/47 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 徐俊;徐颖 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用永磁体提高磁电耦合器件的磁电耦合系数的方法，包括由磁致伸缩材料和压电材料所构成的复合结构磁电耦合器件，根据交变的磁场在磁电耦合器件产生幅值最大的交变电压时的磁场，在磁电耦合器件周围设计提供直流偏置磁场的永磁体分布位置，使得磁电耦合器件工作在最佳直流偏置磁场中。使用永磁体安放在磁电耦合器件周围，提供适当的直流偏置磁场，提高了磁电耦合系数并提高了磁电耦合器件的性能。相比于传统的使用电磁铁和亥姆霍兹线圈的方法来提高磁电耦合系数，本发明大大缩小了器件的尺寸，使其能够应用于便携设备之中。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 永磁体 提高 磁电 耦合 器件 系数 方法 | ||
【主权项】：
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