[发明专利]一种低温制备的具有超高压电常数的PZT基压电陶瓷在审

专利信息
申请号: 202110647731.5 申请日: 2021-06-10
公开(公告)号: CN115466117A 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 刘洪;蒲涛;朱建国;张文 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C04B35/493 分类号: C04B35/493;C04B35/622;C04B35/63;C04B41/88
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610065 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种低温制备的具有超高压电常数的PZT基压电陶瓷材料及其制备方法,该压电陶瓷的通式为Pb1‒x‒y‒vLixCay[Ni1/3Nb2/3]u(Sm,Eu,Gd)v(Ti,Zr)1‒uO3表示,0≤x≤0.025,0≤y≤0.001,0.1≤u≤0.6,0.01≤v≤0.025。采用固相反应法制备750~850°C低温煅烧的PZT基压电陶瓷粉体,再经过造粒、压片、排胶、烧结、烧银、极化等工艺制备陶瓷材料。结果表明,在900~960°C的烧结温度下制备得到了PZT基压电陶瓷材料,其超高压电常数d33=936 pC/N,晶粒均匀、晶粒致密、结晶充分。在低温(900~960°C)制备的条件下,得到了超高压电性能(d33=936 pC/N)。
搜索关键词: 一种 低温 制备 具有 超高 压电 常数 pzt 陶瓷
【主权项】:
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