[发明专利]一种铜基厚壁铌基超导腔的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110648783.4 申请日: 2021-06-10
公开(公告)号: CN113373483B 公开(公告)日: 2022-11-15
发明(设计)人: 杨自钦;何源;路明;皇世春;吴安东;郭浩;谭腾 申请(专利权)人: 中国科学院近代物理研究所
主分类号: C25D3/38 分类号: C25D3/38;C25D5/38;C25D7/04;C23C4/131;C23G1/10;H05H7/20
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵静
地址: 730013 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了一种通过外表面电镀无氧铜制备铜基厚壁铌基超导腔的方法。该方法包括以下步骤:1)薄壁纯铌超导腔的机械冲压、电子束焊接加工;2)纯铌超导加速腔电镀前的预处理,如高温除气、内外表面BCP抛光、超声波清洗;3)无氧铜电镀溶液的配备;4)纯铌超导加速腔外表面电镀无氧铜;5)纯铌超导加速腔外表面电镀无氧铜之后的后处理。本发明研制的铜基厚壁铌基超导腔,无氧铜层致密度高、孔隙率低、热反应小、铜壁厚度容差大,且可批量生产成本低,能够在确保铜基厚壁铌基超导腔射频性能不低于纯铌超导腔水平的前提下,显著增加超导腔的机械稳定性与热稳定性,适合基于射频超导加速器技术的大科学装置使用。
搜索关键词: 一种 铜基厚壁铌基 超导 制备 方法
【主权项】:
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