[发明专利]发光二极管的外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110650790.8 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113394318A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 刘志强;任芳;梁萌;伊晓燕;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延结构及其制备方法，其中，发光二极管的外延结构包括：衬底；上述衬底上设置氮化物成核层；上述氮化物成核层上设置氮化物层；上述氮化物层上设置N型氮化物层；上述N型氮化物层上设置多量子阱层；上述多量子阱层上设置至少两层P型AlGaN层其中，相邻两层上述P型AlGaN层之间设置有石墨烯层；上述P型AlGaN层上设置P型GaN层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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