[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质在审
| 申请号： | 202110650847.4 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113871288A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 今村友纪;野田孝晓;奥田和幸;寺崎昌人 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;C23C16/34;C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质。通过适当地抑制因在处理容器内形成的膜而产生粒子，从而延长清洁周期、提高成膜处理的生产率。重复进行多次包含下述工序的组：(a)向处理容器内搬入衬底的工序；(b)向处理容器内由支承件支承的衬底供给成膜气体，进行在衬底上形成氮化膜的处理的工序；(c)将处理后的衬底从处理容器内搬出的工序；(d)向将处理后的衬底搬出后的处理容器内供给氧化气体，将(b)中在处理容器内形成的氮化膜的一部分氧化并转化为氧化膜，并使该氮化膜的与该一部分不同的其他部分维持氮化膜状态而不氧化的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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