[发明专利]垂直结构LED芯片的制造方法有效
| 申请号： | 202110650877.5 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113594305B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 范伟宏;毕京锋;郭茂峰;李士涛;赵进超;金全鑫;石时曼 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;岳丹丹 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 公开了一种垂直结构LED芯片的制造方法，包括在第一晶圆表面形成第一键合层，第一晶圆包括第一衬底以及外延层；在第二衬底表面形成第二键合层；在第一键合层和/或第二键合层表面上形成第三键合层；通过第一键合层、第二键合层及第三键合层将第一晶圆与第二衬底键合；将第一衬底剥离；第一键合层、第二键合层为高熔点金属层，第三键合层为低熔点金属层。在衬底转移过程中，通过第一键合层、第二键合层、第三键合层将外延层和第二衬底键合，第一键合层、第二键合层为高熔点金属层，第三键合层为低熔点金属层，在键合温度略高于第三键合层的熔点温度的环境下将外延层和第二衬底键合，以降低因材料晶格常数和热膨胀系统差异所导致的键合后翘曲问题。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 led 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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