[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110650906.8 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN114203682A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 平川达也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H03K17/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备：绝缘基板、第一主端子、第二主端子、输出端子、与第一主端子连接的第一金属层、与第二主端子连接的第二金属层、位于第一金属层与第二金属层之间且与输出端子连接的第三金属层、设置于第一金属层之上的第一半导体芯片及第二半导体芯片、设置于第三金属层之上的第三半导体芯片及第四半导体芯片、及第二金属层之上的导电性部件。并且，第二金属层包含狭缝。导电性部件设置于第二金属层的端部与狭缝之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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