[发明专利]成膜装置和成膜方法在审

专利信息
申请号: 202110652860.3 申请日: 2021-06-11
公开(公告)号: CN113832438A 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 竹内淳史;北田亨;中村贯人;五味淳 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/50;C23C14/54;C23C14/16;C23C14/52
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供成膜装置和成膜方法。不用事先对靶进行加工,就能够判断靶的更换时刻。一种成膜装置,其利用磁控溅射法在基板上形成膜,其中,该成膜装置具有:基板保持部,其保持基板;保持件,其以强磁性材料的靶朝向所述基板保持部的方式保持该靶;磁体单元,其设于所述保持件的与所述基板保持部相反的一侧,向被所述保持件保持的所述靶的所述基板保持部侧泄漏磁场;以及磁场强度测量部件,其测量所述磁场的强度。
搜索关键词: 装置 方法
【主权项】:
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