[发明专利]像素感测器及其形成方法和像素阵列在审
申请号: | 202110653298.6 | 申请日: | 2021-06-11 |
公开(公告)号: | CN114678387A | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 谢丰键;郑允玮;李国政;吴振铭 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种像素感测器及其形成方法和像素阵列,像素感测器可包含垂直排列或垂直堆叠的光二极管区和浮置扩散区。垂直排列准许光二极管区相对于水平排列占用给定尺寸的像素感测器的较大区域,其增加光二极管区可收集光子的区域。此增加像素感测器的效能,且可减小像素感测器的整体尺寸。再者,转移栅极可围绕浮置扩散区和光二极管区的至少一部分,其相对于水平排列提供较大的栅极切换区。增加的栅极切换区可在光电流转移期间提供较佳的控制和/或可减少像素感测器的切换延迟。 | ||
搜索关键词: | 像素 感测器 及其 形成 方法 阵列 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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