[发明专利]像素感测器及其形成方法和像素阵列在审

专利信息
申请号: 202110653298.6 申请日: 2021-06-11
公开(公告)号: CN114678387A 公开(公告)日: 2022-06-28
发明(设计)人: 谢丰键;郑允玮;李国政;吴振铭 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种像素感测器及其形成方法和像素阵列,像素感测器可包含垂直排列或垂直堆叠的光二极管区和浮置扩散区。垂直排列准许光二极管区相对于水平排列占用给定尺寸的像素感测器的较大区域,其增加光二极管区可收集光子的区域。此增加像素感测器的效能,且可减小像素感测器的整体尺寸。再者,转移栅极可围绕浮置扩散区和光二极管区的至少一部分,其相对于水平排列提供较大的栅极切换区。增加的栅极切换区可在光电流转移期间提供较佳的控制和/或可减少像素感测器的切换延迟。
搜索关键词: 像素 感测器 及其 形成 方法 阵列
【主权项】:
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