[发明专利]大尺寸芯片及其制作方法、大尺寸芯片晶圆有效
申请号: | 202110654051.6 | 申请日: | 2021-06-11 |
公开(公告)号: | CN113394121B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 胡胜;周俊;孙鹏;占琼;施森华;杨虎 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/498;H01L23/528 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 田婷 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种大尺寸芯片及其制作方法、大尺寸芯片晶圆。制作方法包括:提供一晶圆,晶圆包括若干大尺寸芯片,大尺寸芯片的大小大于光刻机的最大曝光视场;大尺寸芯片包括至少两个拼接芯片;拼接芯片包括衬底和第一金属层,第一金属层至少包括用于不同拼接芯片之间互连的待互连金属层;形成第二金属层,第二金属层至少包括片间互连金属层,片间互连金属层跨越相邻的拼接芯片之间的虚拟划片区,且分别与相邻的拼接芯片各自的待互连金属层电连接。本发明在大尺寸芯片上实现不同的拼接芯片之间的互连,小的拼接芯片通过互连功能拓展,实现大尺寸芯片级的电信号互连优化,以实现更多的功能整合,更具灵活性和兼容特性。 | ||
搜索关键词: | 尺寸 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司,未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110654051.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:离子注入方法
- 下一篇:一种石英反应腔的维护方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造