[发明专利]一种分段控制的多晶硅制备方法有效
| 申请号： | 202110654366.0 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113371717B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 甘易武;高志明;鲍守珍;高承燕;郑连基;李延新;范晔;杨玉福 | 申请（专利权）人： | 青海亚洲硅业半导体有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 杜朗宇 |
| 地址： | 810007 青*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分段控制的多晶硅制备方法，通过分段控制不同时期还原炉中高纯三氯氢硅(TCS)和高纯二氯二氢硅(DCS)的质量比例，本发明方法实施精细控制，合理配置资源，将各个阶段的DCS含量控制好，有利于还原精细化操作，可降低生产成本，提高表面质量，减少故障停炉，值得推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分段 控制 多晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
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