[发明专利]一种VCSEL芯片氧化实时监控方法及设备有效
| 申请号： | 202110654563.2 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113314951B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 鄢静舟;王坤;杨奕;糜东林 | 申请（专利权）人： | 福建慧芯激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 泉州市博一专利事务所(普通合伙) 35213 | 代理人： | 方传榜;苏秋桂 |
| 地址： | 362100 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种VCSEL芯片氧化实时监控方法及设备，该方法包括如下步骤：先在待氧化的外延片顶部沉积p型接触金属电极，然后将外延片划分为监控区和目标芯片区，分别蚀刻出监控氧化台面和目标氧化台面；将外延片放入氧化室中，监控区的p型接触金属电极和衬底背面连接于电容表；开启氧化制程，通过电容表实时采集监控氧化台面在不同氧化时间内的电容‑电压曲线，并获取氧化前的电容C |
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| 搜索关键词： | 一种 vcsel 芯片 氧化 实时 监控 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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