[发明专利]金属叠层结构、芯片及其制造、焊接方法有效
| 申请号： | 202110655319.8 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113394186B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 吴鹏;罗玉杰;于正国 | 申请（专利权）人： | 赛创电气（铜陵）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/603;B23K20/02 |
| 代理公司： | 铜陵市嘉同知识产权代理事务所(普通合伙) 34186 | 代理人： | 吴晨亮 |
| 地址： | 244000 安徽省铜陵市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了金属叠层结构、芯片及其制造、焊接方法，金属叠层结构：包括八对AuSn叠层和底部Au层，其中Sn厚度为17000A，Au厚度为23050A‑25600A，AuSn厚度比为1.355882‑1.505882，Au质量百分比为78.2108wt%‑79.9459 wt%。本发明的有益效果是通过调整金属叠层的叠层数、AuSn比例，实现了低于340°C的共晶焊接温度，并且能够实现芯片完全共晶。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 结构 芯片 及其 制造 焊接 方法 | ||
【主权项】：
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